K1740 Datasheet, 2sk1740, Sanyo

K1740 Features

• 2sk1740
• Adoption of FBET process.
• Large yfs.
• Small Ciss
• Small-sized package permitting 2SK1740-applied sets to be made small and slim. Specifications

PDF File Details

Part number:

K1740

Manufacturer:

Sanyo

File Size:

41.57kb

Download:

📄 Datasheet

Description:

2sk1740.

K1740 Application

• Applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's control systems, or other applications whos

TAGS

K1740

Sanyo

📁 Related Datasheet

K1745 - 2SK1745 (ETC)
.. .. .

K174UN14 - Handbook of radio components (ETC)
Справочник по радиодеталям К174УН14 К174УН14 – усилители мощности ЗЧ с устройством защиты от короткого замыкания в нагрузке и перегрузки. Корпус—1501..

K174UN14 - Low power amplifier frequency (ETC)
К174УН14 Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изд.

K174UN14 - K174UN14 (ETC)
.

K174UN7 - K174UN7 #2 (ETC)
К174УН7 Является усилителем мощности звуковой частоты. При сопротивлении нагрузки 4 Ом и напряжении источника питания 15 В его максимальная выходная м.

K174UN7 - K174UN7 #1 (ETC)
.

K174UN7 - Reference radiodetails (ETC)
Справочник по радиодеталям К174УН7 К174УН7 – усилитель мощности ЗЧ. Аналог – TBA810. Корпус микросхемы Символ Uпит.ном Iпот Pвых.max Uвых.ном fн fв К.

K170 - LOW VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIER (TOKO Inc)
TK17010 LOW VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIER FEATURES s Very Low and Wide Operating Voltage Range (VOP = 1.0 to 7 V) s Very Wide Input Signal Voltage Ran.

K170 - FET/ Silicon N Channel Junction Type(for Low Noise Audio Amplifier) (Toshiba)
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK170 2SK170 Low Noise Audio Amplifier Applications Unit: mm • Remended for fi.

K170 - Low EMI Clock Generator (Integrated Circuit Systems)
I C R O C LOC K Description The MK1704A is an upgraded version of the MK1704 and is remended for all new designs. It offers more reduction in the f.