BPX80 Datasheet (Siemens Semiconductor Group) - NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays

BPX80, NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t

BPX80 Features

* q Especially suitable for applications from 440 nm to 1070 nm q High linearität q Multiple-digit array package of transparent epoxy q Available in groups Applications q q q q Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Miniature photointerrupters Punched