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W2XN003
XINSUN
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High frequency amplifier ambient rated bipolar transistor.
W2XN003
XS-W-003 16-B1-05 1/2
1
1.1
W2XN003 VHF 。
1.2
*
*
2
（㎜×㎜）
（µm）
*（.
µm）
(µm2)
() （） （㎜）
（）
0.32×0.26
170±20
40
φ66
φ66
Si3N4
(µm)
1.4±0.3
.
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W2XN004 - High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor
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W2XN004
XS-W-004 16-A5-05 1/2
1
1.1
W2XN004 VHF 。
1.2
● ●
2
（㎜×㎜）
0.46×0.32
（µm）
*（µm）
(µm2)
170±20 40 φ80 φ80
.
W2XN021 - High Frequency Amplifier Ambient Rated Bipolar Transistor
(XINSUN)
W2XN021
XS-W-039 15-A5-06 1/3
1
1.1
W2XN021 。
1.2
●
●
2
（mm×mm）
（µm）
*（µm）
(µm2)
（µm）
（mm）
（）
0.74×0.74 22.
W2XN9155 - Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors
(XINSUN)
W2XN9155
XS-J-038 13-A2-03 1/3
1
1.1
W2XN9155 。
1.2
z 、 z z
2
（mm×mm）
（µm） *（µm）
(µm2)
（µm）
（㎜）
（）
（）
1..
W2XN934 - Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors
(XINSUN)
W2XN934
XS-J-003 13-A1-03 1/3
1
1.1
W2XN934 。
1.2
z 、 z z
2
（mm×mm）
（µm） *（µm）
(µm2)
（µm）
（㎜）
（）
（）
* ：
1.
W2XN9386 - Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors
(XINSUN)
W2XN9386
XS-J-055 13-A2-03
1/3
1
1.1
W2XN9386 、、
。
1.2
z
z ，
z
2
（mm×mm）
3.86×3.86
（µm） *（µm）
250±20 74
572×1064
(µ.
W2XN9500 - Low-frequency amplification case - rated bipolar transistors
(XINSUN)
W2XN9500
XS-J-057 13-A2-03
1/3
1
1.1
W2XN9500 ，、。
1.2
z ，
z
z
2
（mm×mm）
5.00×5.00
（µm） *（µm）
250±20 60
(µm2)
780×1.
