Datasheet Details
| Part number | SSC5920 |
|---|---|
| Manufacturer | AFSEMI |
| File Size | 842.04 KB |
| Description | High precision built-in MOSFET lithium battery protection circuit |
| Datasheet | SSC5920-AFSEMI.pdf |
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Overview: 版本历史 历史版本 V1.0 V1.1 SSC5920 产品规格书 V1.1 版本 修改内容 初始版本 更新线路电阻配置，R1 电阻由 100Ω改为 470Ω,增加 R2 电阻 1K 版本日期 2018-6-21 2018-11-27 SSC5920 高精度内置MOSFET锂电池保护电路 特点 节锂电池或锂聚合物电池的理想保护电路 内阻低内阻 N-MOS 高精度的保护电压（过充/过放）检测 高精度过电流（过充/过放）保护检测 极少的外围元器件 带有自动恢复功能的低功耗模式 超小型化的DFN2X3封装 电池短路保护 MOSFET: RSS (ON) <50mΩ (VGS=3.7V , ID=1A) 应用 锂电池的充电、放电保护电路 电话机电池或其它锂电池高精度保护器 应用电路图 概述 SSC5920系列电路是一款高精度的单节可充电锂电池 的内置MOSFET保护电路，它集高精度过电压充电保护、 过电流充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性 能于一身。 正常状态下，SSC5920的VCC端电压在过电压充电保护 阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD）之间，且其 VM检测端电压在过电流充电保护阈值（VECI）和过电流放 电保护阈值（V ）之间，此时分别使内置充电控制 EDI N-MOSFET管M1和放电控制N-MOSFET管M2导通。这时， 既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放 电。 SSC5920通过检测V 或V 端电压来进行过充/放电 CC M 保护。当充/放电保护条件发生时，内置MOSFET M1/M2 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。 SSC5920对每种保护状态都有相应的恢复条件，当恢 复条件满足以后，内置MOSFET M1/M2由截止变为导通， 从而进入正常状态。 SSC5920对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟 时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后，才进 行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时 间以前消除，则不进入保护/恢复状态。 SSC5920 具有小型的 DFN2X3 封装，外围器件只需电 容值很小的陶瓷电容，这些特性使得 SSC5920 非常适合在 空间有限的电池电源系统中使用。 470Ω 1KΩ 注：一定要严格按照应用图配置电阻 AF-V1.0 图 1 典型应用图 .afsemi. 2 / 11 Analog Future 管脚排列 Bottom view SSC5920 Pin No.
| Part number | SSC5920 |
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| Manufacturer | AFSEMI |
| File Size | 842.04 KB |
| Description | High precision built-in MOSFET lithium battery protection circuit |
| Datasheet | SSC5920-AFSEMI.pdf |
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电源接地端，与供电电源（电池）的负极连接。 电源输入端，与供电电源（电池）的正极相连。 充/放电电流检测输入端。 与充电器或负载的负极连接。 订单信息 型号 封装 过充检测电压 [VOCP] (V) 过充解除电压 [VOCR] (V) 过放检测电压 [VODP] (V) 过放解除电压 [VODR] (V) 过流检测电压 [VOI1] (mV) SSC5920-AC1A DFN2X3-6 4.375±0.025 SSC5920-BC1A DFN2X3-6 4.425±0.025 4.175±0.05 4.225±0.05 2.60±0.100 2.60±0.100 3.0±0.100 3.0±0.100 225±30 225±30 极限参数 供电电源 VCC V 端允许输入电压 M 工作温度 TA 漏-源极耐压 连续漏极电流 (TA=25℃) 脉冲漏极电流 -0.3V~+10V VDD-26V~VDD+0.3V -40℃~+85℃ 20V 6A 25A 贮存温度 功耗 P (TA=25℃) D DFN2X3-6 封装 (热阻 θJA=100℃/W) 焊接温度 (锡焊，10 秒) 结温 -40℃~125℃ 1.25W 260℃ 150℃ 注：超出所列的极限参数可能导致器件的永久性损坏。以上给出的仅仅是极限范围，在这样的极限条件下工作，器件的技术指标将得不到保 证，长期在这种条件下还会影响器件的可靠性。 AF-V1.0 .afsemi.
3 / 11 Analog Future 电气参数 (除非特别注明，典型值的测试条件为：V = 3.6V，T = 25℃) DD A 参数名称 符号 测试条件 供电电源 过电压充电保护阈值 过电压充电恢复阈值 过电压充电保护延迟时间 过电压放电保护阈值 "过电压放
| Part Number | Description |
|---|---|
| SSC5918 | One Cell Lithium-ion/Polymer Battery Protection IC |
| SSC5919 | High precision lithium battery protection control core |
| SSC2314GS6A | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SSC7002EGS6 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SSC8013GS6 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SSC8013GSB | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SSC8015GS6 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SSC8019GN2 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SSC8020GS6 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| SSC8020GS8 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |