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FTP06N40 Datasheet PDF

ARK FTP06N40

N-Channel MOSFET

Part No. FTP06N40
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ARK
Description N-Channel MOSFET
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FTP06N40/FTA06N40 400V N 沟道 MOS 场效应管 产品特点 ¾ ¾ ¾ ¾ ¾ 低的导通电阻 低的栅极电荷(典型值为18.6nC) 开关速度快 100%雪崩测试 符合RoHS标准/无铅封装 BVDSS 400V RDS(ON) (Max.) 1.0Ω ID 5.5A 产品应用 ¾ ¾ ¾ ¾ 高效开关电源 适配器/充电器 有源功率因数校正 液晶面板电源 订购代码 器件型号 FTP06N40 FTA06N40 封装形式 TO-220 TO-220F 标识 FTP06N40 FTA06N40 除非另有说明,均指TC=25℃ 极限值 符号 VDSS ID ID@100℃ IDM PD VGS EAS dv/dt TL TJ 和 TSTG [1] 参数描述 漏极-源极电压 漏极电流连续值(TC=25℃) 漏极电流连续值(TC=100℃) 漏极电流脉冲值[2] 功耗(TC=25℃) 功耗降额因子(TC﹥25℃) 栅极-源极电压 单脉冲雪崩能量 L=18mH, ID=5.5A 二极管反向恢复dv/dt尖峰值[3] 焊接温度 (距离管壳1.6mm处,10秒) 结温和储存温度 FTP06N40 400 5.5 FTA06N40 5.5* 单位 V A Figure 3 Figure 6 95 0.76 ±30 270 4.5 300 25 0.2 W W/℃ V mJ V/ns ℃ -55 to 150 *漏极电流受最高结温的限制. 注意:施加的电的或热的应力大于“极限值”表中所列参数值,可能导致器件永久的损坏。 热特性 符号 RθJC RθJA 结-管壳热阻 结-环境热阻 1/11 参数描述 FTP06N40 1.32 65 FTA06N40 5.0 65 单位 ℃/W 成都方舟微电子有限公司 2009.03 Datasheet pdf - FTP06N40/FTA06N40 电特性 关断特性 符号 BVDSS △BVDSS/△TJ IDSS IGSS 参数描述 漏极-源极击穿电压 击穿电压温度系数 最小值 400 --漏极-源极泄漏电流 ---典型值 -0.6 ----最大值 --12 100 100 -100 µA 除非另有说明, 均指TC =25℃ 单位 V V/℃ 测试条件 VGS=0V, ID=250µA 以25℃为参考, ID=250µA VD...
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