KWMFP25R12NS3_B Overview
特征 采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片 集成NTC温度传感器 高可靠性及热稳定性 良好的参数一致性 100% RBSOA测试(2 IC) 低通态损耗(VCE=2.0V) 低关断损耗(Eoff=1.22mJ) 高短路耐量(>10us) 应用领域 电机传动 伺服驱动器 等 KWMFP25R12NS3_B 1200V 25A PIM 模块 IGBT(逆变器)最大额定值（未特殊说明时，T j=25℃） 参数 符号 条件 集电极-发射极耐压 V CES 栅极-发射极耐压 V GES 集电极电流 IC T C=25℃.