KWNFP75R12NS3 Overview
KWNFP75R12NS3 1200V 75A PIM模块 特征 采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片 集成NTC温度传感器 高可靠性及热稳定性，良好的参数一致性 低通态损耗(VCE=2.0V) 低关断损耗(Eoff=5.1mJ) 高短路耐量(>10us) 应用领域 电机传动 伺服驱动器 等 IGBT(逆变器)最大额定值（未特殊说明时，T C=25℃） 参数 符号 条件 额定值 集电极-发射极耐压 V CES 1200 栅极-发射极耐压 集电极电流 V GES ±20 IC T C=25℃ T C=100℃ 150.