1N3673
1N3673 is Silicon-Power Rectifiers manufactured by Diotec Semiconductor.
1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673 PBY 271 ... PBY 277 Silicon-Power Rectifiers Nominal current
- Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Metal case
- Metallgehäuse Weight approx.
- Gewicht ca. Remended mounting torque Empfohlenes Anzugsdrehmoment Silizium-Leistungs-Gleichrichter 12 A 50...1000 V DO-4 5.5 g 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm
Dimensions / Maße in mm
Standard: Cathode to stud / am Gewinde Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R)
Maximum ratings Type Typ 1N 1199 A 1N 1200 A 1N 1202 A 1N 1204 A 1N 1206 A 1N 3671 1N 3673 = = = = = = = PBY 271 PBY 272 PBY 273 PBY 274 PBY 275 PBY 276 PBY 277 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TC = 100/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C TA = 25/C
Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 60 120 240 480 720 1000 1200 12 A 1) 40 A 1) 220 A 240 A 240 A2s
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing
- Grenzlastintegral, t < 10 ms
IFAV IFRM IFSM IFSM i2t
) Valid, if the temp. of the stud is kept to 100/C
- Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100/C gehalten wird 26.03.2002
1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673 PBY 271 ... PBY 277 Operating junction temperature
- Sperrschichttemperatur Storage temperature
- Lagerungstemperatur Tj TS
- 65…+175/C
- 65…+175/C Kennwerte Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 30 A VR = VRRM VF IR Rth C < 1.5 V < 100 :A < 2 K/W
Characteristics Forward voltage
- Durchlaßspannung Leakage current
- Sperrstrom Thermal resistance junction to stud Wärmewiderstand Sperrschicht
- Gehäuse
F:Data Wp Dat Blatt Einzelblätter1n1199-pby271...wpd...
