1N4007-1300 Datasheet | Diotec Semiconductor

1N 4001 ... 1N 4007, 1N 4007-1300 EM 513, EM 516, EM 518 Silicon Rectifiers Silizium Gleichrichter Nominal current - Nennstrom Ø 2.6 -0.1 1A 50…2000 V DO-41 DO-204AL 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. - Gewicht ca. ±0.5 5.1 -0.1 Type Ø 0.8 ±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack see page 16 siehe Seite 16 Dimensions / Maße in mm Maximum ratings Type Typ 1N 4001 1N 4002 1N 4003 1N 4004 1N 4005 1N 4006 1N 4007 1N 4007-1300 EM 513 EM 516 EM 518 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1300 1600 1800 2000 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1300 1600 1800 2000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 75/C TA = 100/C f > 15 Hz TA = 25/C IFAV IFAV IFRM IFSM 1 A 1) 0.75 A 1) 10 A 1) 50 A ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 58 28.02.2002 1N 4001 ... 1N 4007, 1N 4007-1300 EM 513, EM 516, EM 518 Rating for fusing - Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur TA = 25/C i2t Tj TS 12.5 A2s - 50…+175/C - 50…+175/C Kennwerte Tj = 25/C Tj = 25/C Tj = 100/C IF = 1 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR Rth A < 1.1 V < 5 :A < 50 :A < 45 K/W 1) Characteristics Forward voltage - Durchlaßspannung Leakage current - Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende...