1N5401K Datasheet | Diotec Semiconductor

1N 5400 K … 1N 5408 K Silicon Rectifiers Silizium Gleichrichter Nominal current - Nennstrom Ø3 ±0.05 3A 50…1000 V DO-15 DO-204AC 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. - Gewicht ca. ±0.5 6.3 ±0.1 Type Ø 0.8 ±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack see page 16 siehe Seite 16 Dimensions / Maße in mm Maximum ratings Type Typ 1N 5400 K 1N 5401 K 1N 5402 K 1N 5403 K 1N 5404 K 1N 5405 K 1N 5406 K 1N 5407 K 1N 5408 K Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 300 400 500 600 800 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing - Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 50/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C IFAV IFRM IFSM i2t 3 A 1) 20 A 1) 100 A 50 A2s ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 66 28.02.2002 1N 5400 K … 1N 5408 K Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Tj TS - 50…+175/C - 50…+175/C Kennwerte Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 3 A VR = VRRM VF IR Rth A < 1.1 V < 10 :A < 40 K/W 1) Characteristics Forward voltage - Durchlaßspannung Leakage current - Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft ) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse...