BYP60K6 Datasheet | Diotec Semiconductor

BYP 60A05 ... BYP 60A6 BYP 60K05 ... BYP 60K6 Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes Silizium-Einpreßdioden Hochtemperaturdioden Nominal current - Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Metal press-fit case with plastic cover Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung Weight approx. - Gewicht ca. Casting pound has UL classification 94V-0 Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert Dimensions / Maße in mm 60 A 50…600 V 10 g Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton Maximum ratings Type / Typ Wire to / Draht an Anode Cathode BYP 60A05 BYP 60A1 BYP 60A2 BYP 60A3 BYP 60A4 BYP 60A6 BYP 60K05 BYP 60K1 BYP 60K2 BYP 60K3 BYP 60K4 BYP 60K6 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspanng. VRRM [V] 50 100 200 300 400 600 TC = 150/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 60 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing - Grenzlastintegral, t <10 ms Operating junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Maximum pressure - Maximaler Einpreßdruck IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 60 A 120 A 1) 450 / 500 A 1000 A2s - 50...+215 /C - 50...+215 /C 7 k N ) Max. case temperature TC = 150/C - Max. Gehäusetemperatur TC = 150 28.02.2002 BYP 60A05 ... BYP 60A6 BYP 60K05 ... BYP 60K6 Characteristics Forward voltage - Durchlaßspannung Leakage current - Sperrstrom Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 60 A VR = VRRM VF IR Rth C Kennwerte < 1.1 V < 100 :A < 0.6 K/W New - Neu BYP 60K05 BYP 60K1 BYP 60K2 BYP 60K3 BYP 60K4 Replacements / Ersatztypen Old - Alt New - Neu BYP70/60 BYP 60A05 BYP71/60 BYP 60A1 BYP72/60...