• Part: 3DD164
  • Description: Low-power silicon NPN transistor
  • Manufacturer: Unknown Manufacturer
  • Size: 99.88 KB
Download 3DD164 Datasheet PDF

Datasheet Summary

3DD164 型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 PCM ICM 极 限 Tjm 值 Tstg Rth V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO 直 ICBO 流 ICEO 参 IEBO 数 VBEsat VCEsat hFE TC=75℃ VCE=10V IC=3A ICB=5mA ICE=5mA IEB=5mA VCB=50V VCE=50V VEB=4V IC=5A IB=1A VCE=5V IC=5A 规范值 ABCDE FG 100 10 175 -55~150 ≥80 ≥150 ≥200 ≥250 ≥350 ≥400 ≥600 ≥50 ≥100 ≥150 ≥200 ≥250 ≥300 ≥400 ≥5.0 ≤1.5 ≤2.0 ≤1.5 ≤1.8 ≤1.5 15~180 单位 W A ℃ ℃ ℃/W V V V mA mA mA 外 引 1. E 发射极 线 2. B 基 极 说 3. C 集电极 明 B2 系列(F 系列) 替代型号:3DD8、3DD21、3DD165~166、3DD801、3DD728、3DD81~82、3DD26、2SD110~111、 2SD116~119、2SD125、2SD161、2SD163~166、2SD172~173、2SD176~177、2SD286~287、2SD319、 2SD321~323、2SD338~339、2SD348、2SD351、2SD369、2SD371...