FP10R06KL4
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
Vorläufig Preliminary
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forward current per chip Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t
- value
Tvj =25°C TC =80°C TC =80°C t P = 10 ms, T vj = t P = 10 ms, T vj = 25°C 25°C
VRRM IFRMSM IRMSmax IFSM It
23 36 197 158 194 125
A A A A As As
2 2 t P = 10 ms, T vj = 150°C t P = 10 ms, T vj = 150°C
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total...