Unknown Manufacturer KT3126
PNP Transistor
Назначение КТ3126 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Кремниевый эпитаксиально-планарный СВЧ транзистор малой мощности. Предназначен для использования в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Зарубежный прототип
● прототип BF506 Номер технических условий
● аАО.336.428 ТУ Корпусное исполнение
● пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Эмиттер База Коллектор КТ3126 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ3126 Паpаметpы Обозначение Обратный ток коллектора Статический коэффициент передачи тока КТ3126А КТ3126Б Емкость коллекторного перехода* Емкость эмиттерного перехода* Граничная частота коэффициента передачи тока* Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Iкбо h21Е Cк* Сэ* Fгр* Uкэ(нас) * справочные параметры Ед. изм. мкА пФ пФ МГц В Режимы измеpения Uкб=15B Uкб=5B,Iэ=3мA f=50Гц Uкб=10B f=107Гц Uэб=2B f=107Гц Uкб=10B f=108Гц Iэ=2мА Iк=10мА,Iб=1мA Min Max - 0...
● прототип BF506 Номер технических условий
● аАО.336.428 ТУ Корпусное исполнение
● пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Эмиттер База Коллектор КТ3126 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ3126 Паpаметpы Обозначение Обратный ток коллектора Статический коэффициент передачи тока КТ3126А КТ3126Б Емкость коллекторного перехода* Емкость эмиттерного перехода* Граничная частота коэффициента передачи тока* Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Iкбо h21Е Cк* Сэ* Fгр* Uкэ(нас) * справочные параметры Ед. изм. мкА пФ пФ МГц В Режимы измеpения Uкб=15B Uкб=5B,Iэ=3мA f=50Гц Uкб=10B f=107Гц Uэб=2B f=107Гц Uкб=10B f=108Гц Iэ=2мА Iк=10мА,Iб=1мA Min Max - 0...