FS20R06XL4 Datasheet | Eupec GmbH

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS20R06XL4 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom .. repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C RMS, f= 50Hz, t= 1min Tvj = 25 °C TC = TC = 70 °C 25 °C 70 °C VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES IF IFRM I²t VISOL 600 20 26 40 V A A A tp= 1ms, TC = Tc= 25°C, Transistor +20 A²s 2,5 k V Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter saturation voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= VGE= -15V...+15V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE = 600 V, VGE= 0V, Tvj= 25°C 0,5 m A VCEsat VGE(th) QG Cies Cres ICES IGES min. 4,5 typ. 1,95 2,20 5,5 max. 2,55 6,5 V V V - 0,11 - µC 0,9 n F 0,08 n F - - 5 m A VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C - - 400 n A prepared by: P. Kanschat approved: M. Hierholzer date of publication: revision: 2.0 2002-12-17 1 (8) Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS20R06XL4 vorläufige Daten preliminary...