Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz Hohe Stoßströme und niedriger Wärmewiderstände durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Full blocking capability at 125°C with 50 Hz High surge currents and low thermal resistance by using low temperature joining technique NTV between silicon wafer and molybdenum Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
P.
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor Phase Control Thyristor
T 3401 N 31...