FZ1200R33KF2
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1200 R 33 KF2
Datenblatt data sheet
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t
- value, Diode Spitzenverlustleistung der Diode maximum power dissipation diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Teilentladungs-Aussetzspannung partial discharge extinction voltage t P = 1 ms Tj = 25°C Tj = -25°C TC = 80°C TC = 25 °C t P = 1 ms, TC = 80°C VCES 3300 3300 1200 2000 2400 V
IC,nom. IC ICRM
TC=25°C, Transistor
Ptot
14,7 k W
VGES
+/-...
