FOSHAN BLUE ROCKET 3DA2396
SILICON NPN TRANSISTOR
FEATURES
: High DC current gain),low VCE(sat),large collector power dissipation,wide SOA. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit VCBO 80 V VCEO 60 V VEBO 6.0 V IC 3.0 A ICP 6.0 A PC(Ta=25℃) 2.0 W PC(Tc=25℃) 30 W Tj 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 参数符号 Symbol VCBO VCEO VEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT Cob 测试条件 Test condition IC=50μA IC=1.0mA IE=50μA VCB=80V IE=0 VEB=6.0V IC=0 VCE=4.0V IC=500mA IC=2.0A IB=0.05A IC=2.0A IB=0.05A VCE=5.0V IC=0.2A f=10MHz VCB=10V IE=0 f=1.0MHz 最小值 Min 80 60 6.0 400 数值 Rating 典型值 Typ 1000 0.3 40 55 最大值 Max 100 100 2000 0.8 1.5 单位 Unit μA μA V V MHz pF hFE 分档/hFE Classifications: H: 400~800 J: 600~1200 K: 1000~2000 佛山市蓝箭电子股份有限公司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. 2SD2396(3DA2396) 佛山市蓝箭电子股份有限公司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.