BTA80-600 Datasheet | HAOHAI

反向重复峰值电压: (Tj=25°C) (參考型號對照列表) 門極平均散耗功率: Average gate power (Tj=125°C) 工作結溫: Operating Junction Temperature Range @ Rate VRRM and VDRM 貯存溫度: Storage Temperature Range Value 數值 80 800 8 3600 600~1600 1 -40 ~ +125 -40 ~ +150 Unit 單位 A2ses V W ℃ - ELECTRICAL CHARACTERISTICs (Tj=25℃ Unless Otherwise Noted)【電参数】 SYMBOL 符號表示 IGTⅠ(T2+G+) IGT Ⅱ(T2+G-) IGT Ⅲ (T2-G-) IGT Ⅳ(T2-G+) IH IL IDRM IRRM VGT VTM VTO VGD RD dv / dt （dv/dt）C di / dt Rth(j-c) Rth(j-a) Paramenter & Test Conditions 符號含義 及 參數測試條件 說明 門極觸發電流第一象限:Ⅰ 門極觸發電流第二象限:Ⅱ 門極觸發電流第三象限:Ⅲ 門極觸發電流第四象限:Ⅳ 維持電流: Holding Current (IT=500m A) 擎住電流: Latching Current (IG=1.2 IGT) 断态峰值电流 (Tj=25°C) 反向峰值电流 (Tj=125°C) 門極觸發電壓: Gate trigger voltage (VD=12VDC, RL=30Ω, Tj=25°C) 峰值通態電壓:Peak Forward On-State Voltage (ITM=82A, tp=380µs) 门槛電壓: (ITM=82A, tp=380µs) 門極不觸發電壓: Gate NO trigger voltage (VD=12VDC, RL=300Ω, Tj=125°C) 斜率电阻: Dynamic resistance slops Resistance (Tj=125°C) 斷態臨界電壓上升率: (VD=2/3 VDRM，Tj=125°C) 换向电压臨界上升率: (VD=2/3 VDRM，Tj=125°C) 通態臨界電流上升率: Critical Rate of Rise of On- State Current 熱阻-結到外殼: Thermal Resistance- Junction- to- Case 熱阻-結到環境: Thermal Resistance- Junction- to- Ambient 門極觸發電流 Gate trigger current VD=12VDC, RL=100Ω, Tj=25°C Value 最小值 典型值 最大值 Unit 單位 → → → → → 35 35 36 50 → 50 2 50 50 50 100 80 IGT4: 100m A m A IGT1-2-3: 60m A, µA m A 1.5 1.55 0.87 0.2 → → → → → 500 → → → → → → → → → → 10 50 0.9 50 E-mail: V mΩ V/µs A/µs ℃/W 3.2 → → → → ← Web: .kkg..cn HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. KKG@Product Data 2010-06-06 kkg@kkg..cn TOP4 High Voltage Triacs: BTA80 Series 英文與中文繁體版本 80A TRIACs : 80A 四象限 絕緣型 塑封 双向可控硅 【电气特性】 無鉛産品提供SGS環保認證, 符合歐美Ro...