H1N60U Overview
1.3A, 600V, N沟道 场效应晶体管 产品参数规格书 工业型号 公司型号 通俗命名 H FQU1N60C FQD1N60C H1N60U H1N60D 1N60 HAOHAI 封装标识 U: TO-251 D: TO-252 1N60 Series N-Channel MOSFET 包装方式 每管数量 每盒数量 条管装 载带卷盘 80只/管 2.5K/卷 4Kpcs/盒 5Kpcs/盒 每箱数量 24Kpcs 25Kpcs APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC.