HNM2302 Overview
3.5A, 20V 贴片N沟道场效应管 产品参数规格书 N 沟道增强型MOS 场效应管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor.
HNM2302 Key Features
- MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性参数
- 55 to +150
- ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)
- DIMENSION 外形封装尺寸数据
- Package: SOT-23 HAOHAI Package Code: MM