ME2305 Datasheet | HAOHAI

Features 　- -20V, -3.9A, RDS(ON)=55mΩ @ VGS=-4.5V 　- High dense cell design for extremely low RDS(ON) 　- Rugged and reliable 　- Lead free product is acquired 　- SOT-23 Package 　- Marking Code: A5 　　Case Material: Molded Plastic. 　　UL Flammability Classification Rating 94V-0 HPM2305 P-Channel MOSFETs HPM2305 P-Channel Enhancement Mode MOS FETs 对应其他工业型号 SI2305 AO2305 ME2305 GM2305 Internal Block Diagram D HPM2305（SOT-23） D 元件标识（打印） S SOT-23 内部结构 G SOT-23 管脚排列 　- MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性参数 Drain-Source Voltage 漏极-源极电压 Gate- Source Voltage 栅极-源极电压 Drain Current (continuous) 漏极电流-连续 Drain Current (pulsed) 漏极电流-脉冲 Total Device Dissipation 总耗散功率 TA=25℃ (环境温度为25℃) Junction 结温 Storage Temperature 储存温度 Symbol 符号 BVDSS VGS ID IDM Tj Tstg DEVICE MARKING: A5 Max 最大值 -20 ±10 -3.9 -15 1200 150 -55 to +150 Unit 单位 V A m W ℃ http://.szhhe. HAOHAI ELECTRONICS CO., LTD. 第1页　共4页 致力於中國功率器件優秀供應商 kkg@kkg..cn HPM2305_SOT-23 -3.9A,-20V贴片P沟道场效应管 产品参数规格书 HPM2305 P-Channel MOSFETs 　- ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃) Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Min Typ Max 最小值 典型值 最大值 Unit 单位 Drain-Source Breakdown Voltage 漏极-源极击穿电压 (ID=-250μA, VGS=0V) Gate Threshold Voltage 栅极开启电压 (ID=-250μA, VGS=VDS) Diode Forward Voltage Drop 内附二极管正向压降(IS=-0.75A,...