2CT30T45AD1 datasheet by Huajing Microelectronics.
| Part number | 2CT30T45AD1 |
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| Datasheet | 2CT30T45AD1-HuajingMicroelectronics.pdf |
| File Size | 219.70 KB |
| Manufacturer | Huajing Microelectronics |
| Description | Silicon Schottky rectifier diode |
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硅 N 型肖特基整流二极管 2CT30T45 AD1 ○R 产品概述 2CT30T45 AD1 采用 沟槽肖特基二极管芯片及 集成封装工艺，具有较低 的正向压降特性和良好的 高温特性。典型应用为太 阳能电池旁路保护。 产品特点 高开关速度 低正向压降 低功率损耗 高可靠性 特征参数 符号 VRRM IF（AV） VF（IF=30A） 额定值 45 30 0.55 单位 V A V 集成封装 存储条件和焊接温度 存放有效期 存放条件 极限耐焊接热 环境温度-10℃～40℃ 1年 相对湿度 ＜85％ 265℃.
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| Part Number | Description |
|---|---|
| 2CT15T45A0 | Silicon Schottky rectifier diode |
| 2CT20T45A0 | Silicon Schottky rectifier diode |
