| Part number | 3DD6060A8 |
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| Download | 3DD6060A8 Datasheet (PDF) |
| File Size | 172.07 KB |
| Manufacturer | Huajing Microelectronics |
| Description | Silicon NPN bipolar transistor |
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| Part Number | Description |
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| 3DD6012A1 | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification |
| 3DD6012A3-H | Silicon NPN bipolar transistor |
| 3DD6012A6 | Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification |
| 3DD6802A3D-H | Silicon NPN bipolar transistor |
| 3DD6802A9D | Silicon NPN bipolar transistor |
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD6060 A8 ○R 产品概述 3DD6060 A8 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该产品 采用平面工艺，分压环终端 结构和少子寿命控制技术， 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。 存储条件和焊接温度 产品特点 开关损耗低 反向漏电流小 高温特性好 反向击穿电压高 可靠性高 应用 充电器 适配器 一般功率开关电路 存放有效期 存放条件 极限耐焊接热 环境温度-10℃～40℃ 1 年 265℃ 相对湿度 ＜85％ 特征参数 符号 额定值 单 位 VCEO IC.
