BT40T60ANFD datasheet by Huajing Microelectronics.
| Part number | BT40T60ANFD |
|---|---|
| Datasheet | BT40T60ANFD-HuajingMicroelectronics.pdf |
| File Size | 1.29 MB |
| Manufacturer | Huajing Microelectronics |
| Description | Insulated gate bipolar transistor |
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绝缘栅双极型晶体管 BT40T60 ANFD ○R 概述 BT40T60 ANFD 采用先进的沟槽 FS IGBT 技术，具有良好的导 通和开关特性，易并联使用的特点。 符合 RoHS 指令要求。 特点 沟槽 FS 技术，正温度系数； 低通态压降：VCE(sat),TYP=1.8V @IC=40A,VGE=15V ； 特征参数 VCES IC Ptot （TC=25℃） VCE(sat) 600 40 280 1.8 封装：TO-3P（N） V A W V 用途 逆变电焊机 太阳能逆变器 不间断电源.
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| Part Number | Description |
|---|---|
| BT40T60ANF | Insulated gate bipolar transistor |
| BT40T60ANFU | Silicon FS Trench IGBT |
| BT40T60AKF | Insulated gate bipolar transistor |
| BT40N60BNF | Silicon FS Planar IGBT |
