INTEGRAL KT3117
NPN Transistor
Назначение КТ3117 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор. Предназначен для использования в оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства КТ-26 Обозначение технических условий
● аАО.336.262 ТУ КТ1-7 (Вид сверху) Корпусное исполнение
● металлический корпус КТ1-7 (ТО-18) – КТ3117А, Б
● пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) – КТ3117А1 Назначение выводов Вывод (корпус КТ1-7) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ1-7) База Эмиттер Коллектор Вывод (корпус КТ-26) №1 №2 №3 КТ1-7 Назначение (корпус КТ-26) Эмиттер База Коллектор КТ3117 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ3117А1 (корпус КТ-26) при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Обратный ток коллектора Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллекторэмиттер Напряжение насыщения база - эмиттер Емкость коллекторного перехода* Емкость эмиттерного перехода...
● аАО.336.262 ТУ КТ1-7 (Вид сверху) Корпусное исполнение
● металлический корпус КТ1-7 (ТО-18) – КТ3117А, Б
● пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) – КТ3117А1 Назначение выводов Вывод (корпус КТ1-7) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ1-7) База Эмиттер Коллектор Вывод (корпус КТ-26) №1 №2 №3 КТ1-7 Назначение (корпус КТ-26) Эмиттер База Коллектор КТ3117 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ3117А1 (корпус КТ-26) при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Обратный ток коллектора Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллекторэмиттер Напряжение насыщения база - эмиттер Емкость коллекторного перехода* Емкость эмиттерного перехода...