INTEGRAL KT368AM
NPN Transistor
| Part No. | KT368AM |
|---|---|
| Datasheet | KT368AM Download |
| Manufacturer |  INTEGRAL |
| Description | NPN Transistor |
| Buy | Stock & Price |
КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. Номер технических условий
● аАО.365.025 ТУ / 02 Особенности
● Диапазон рабочих температур от - 60 до + 100°C Корпусное исполнение
● пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Эмиттер База Коллектор КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ368АМ,БМ, ВМ при Токр. среды = +25 °С Паpаметpы Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Статический коэффициент передачи тока КТ368АМ КТ368БМ КТ368ВМ Коэффициент шума для КТ368АМ Граничное напряжение Напряжение насыщения база - эмиттер Емкость коллекторного перехода Емкость эмиттерного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Обозначение Iкбо Iэбo h21Е Ед. изм. Режимы измеpения мкА Uкб=15B, Iэ=0 мкА Uэб=4B Uкб=1B,...
● аАО.365.025 ТУ / 02 Особенности
● Диапазон рабочих температур от - 60 до + 100°C Корпусное исполнение
● пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Эмиттер База Коллектор КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ368АМ,БМ, ВМ при Токр. среды = +25 °С Паpаметpы Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Статический коэффициент передачи тока КТ368АМ КТ368БМ КТ368ВМ Коэффициент шума для КТ368АМ Граничное напряжение Напряжение насыщения база - эмиттер Емкость коллекторного перехода Емкость эмиттерного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Обозначение Iкбо Iэбo h21Е Ед. изм. Режимы измеpения мкА Uкб=15B, Iэ=0 мкА Uэб=4B Uкб=1B,...
