INTEGRAL KT8115
PNP Transistor
| Part No. | KT8115 |
|---|---|
| Datasheet | KT8115 Download |
| Manufacturer |  INTEGRAL |
| Description | PNP Transistor |
| Buy | Stock & Price |
КТ8115 p-n-p составной биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для использования в преобразователях напряжения, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы
● Прототипы – TIP127, TIP126, TIP125 Особенности
● Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 125°C
● Комплиментарная пара – КТ8116 Обозначение технических условий
● АДБК.432140.289 ТУ / 02 Корпусное исполнение
● пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ8115 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8115 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ8115А КТ8115Б КТ8115В Обратный ток коллектора КТ8115А КТ8115Б КТ8115В Обратный ток коллектор-эмиттер КТ8115А КТ8115Б КТ8115В Обратный ток эмиттер-база Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение насыщения база-эмиттер Граничная частота коэффициента передачи тока * tи ≤ 300мкс, Q>100 Обозн. * Uкэо гp.
● Прототипы – TIP127, TIP126, TIP125 Особенности
● Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 125°C
● Комплиментарная пара – КТ8116 Обозначение технических условий
● АДБК.432140.289 ТУ / 02 Корпусное исполнение
● пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ8115 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8115 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ8115А КТ8115Б КТ8115В Обратный ток коллектора КТ8115А КТ8115Б КТ8115В Обратный ток коллектор-эмиттер КТ8115А КТ8115Б КТ8115В Обратный ток эмиттер-база Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение насыщения база-эмиттер Граничная частота коэффициента передачи тока * tи ≤ 300мкс, Q>100 Обозн. * Uкэо гp.
