DD1200S17H4_B2
DD1200S17H4_B2 is manufactured by Infineon.
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul IGBT-Module
IHM-BModul IHM-Bmodule
TypischeAnwendungen
- 3-Level-Applikationen
- AktiverEingang(Rückspeisung)
- Hochleistungsumrichter
- Multi-LevelUmrichter
- Traktionsumrichter
- Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
- ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
- HoheStromdichte
- Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften
- 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
- AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit
- GehäusemitCTI>400
- GroßeLuft-undKriechstrecken
- HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
- HoheLeistungsdichte
- IHMBGehäuse
VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM =...
