DDB6U75N16W1R
DDB6U75N16W1R is manufactured by Infineon.
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 100°C
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 100°C
StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C
Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung Forwardvoltage
Tvj =...
