• Part: F4-100R12KS4
  • Description: IGBT
  • Manufacturer: Infineon
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Infineon
F4-100R12KS4
F4-100R12KS4 is IGBT manufactured by Infineon.
Technische Information/Technical Information IGBT-Module IGBT-modules IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter Höchstzulässige Werte/Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DCcollectorcurrent TC = 65°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent t P = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage Vorläufige Daten Preliminary Data VCES IC nom IC ICRM Ptot VGES 1200 100 130 200 +/-20 V A W V Charakteristische Werte/Characteristic Values Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 4,00 m A, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V Interner Gatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0...