FD600R17KE3_B2
FD600R17KE3_B2 is IGBT manufactured by Infineon.
Technische Information/Technical Information
IGBT-Module IGBT-modules
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
Höchstzulässige Werte/Maximum Rated Values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent t P = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
Vorläufige Daten Preliminary Data
VCES
IC nom IC
ICRM
Ptot
VGES
1700 600 950 1200
4,30
+/-20
V
A
k W
V
Charakteristische Werte/Characteristic Values
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 600 A, VGE = 15 V IC = 600 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 24,0 m A, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
Interner Gatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0...
