Infineon Technologies FS100R06KE3
IGBT
Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-modules FS100R06KE3 EconoPACK™3 mit schnellem Trench/Feldstop IGBT³ und Emitter Controlled3 Diode EconoPACK™3 with fast trench/fieldstop IGBT³ and Emitter Controlled3 diode Vorläufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Tvj = 25°C VCES 600 V Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DC collector current TC = 70°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitive peak collector current tP = 1 ms ICRM 200 A Gesamt-Verlustleistung Total power dissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 335 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitter peak voltage VGES +/-20 V Charakteristische Werte / Characteristic Values Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V IC = 100 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C G...