FS150R12KT4_B11 Datasheet PDF

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-modules FS150R12KT4_B11 EconoPACK™3 Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode EconoPACK™3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode Vorläufige Daten IGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary Data Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Tvj = 25°C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DC collector current TC = 90°C, Tvj max = 175°C IC nom 150 A Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitive peak collector current tP = 1 ms ICRM 300 A Gesamt-Verlustleistung Total power dissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 750 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitter peak voltage VGES +/-20 V Charakteristische Werte / Characteristic Values Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = 150 A, VGE = 15 V IC = 150 A, VGE = 15 V IC = 150 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C T...