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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul IGBT-Module
FZ2400R17HP4_B2
IHM-BModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode
VCES = 1700V IC nom = 2400A / ICRM = 4800A
TypischeAnwendungen • AnwendungenfürResonanzUmrichter • Hochleistungsumrichter • Traktionsumrichter • Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigesVCEsat • VerstärkteDiodefürRückspeisebetrieb
MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte • IHMBGehäuse
Typical