IFS75B12N3E4_B31 Datasheet | Infineon

Technische Information/Technical Information IGBT-Module IGBT-modules MIPAQ™base Modulmit Trench/Feldstopp IGBT4,Emitter Controlled4Diodeund Strommesswiderstand MIPAQ™basemodulewithtrench/fieldstop IGBT4,emittercontrolled4diodeandcurrentsenseshunt IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter Vorläufige Daten/Preliminary Data Höchstzulässige Werte/Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom Continuous DCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj = 175°C IC nom Periodischer Kollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent t P = 1 ms ICRM Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj = 175°C Ptot Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V A A W V Charakteristische Werte/Characteristic Values Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 2,40 m A, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V Interner Gatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent...