P2000DL45X168 Overview
Druckkontaktierter IGBT Press Pack IGBT Technische Information / technical information P2000DL45X168 Key Parameters IGBT VCES INOM ICRM Diode VRRM IF IFRM 4500 V 2000 A 4000 A 04(05T00C0=AV65 °C) 3570A 2000A (TC=55°C) 4000A Merkmale Druckkontaktierter IGBT.
P2000DL45X168 Key Features
- Press Pack IGBT with integrated Freewheeling Diode
- Long term Short on Fail behavior
- High dynamic robustness
- High short-circuit capability
- Low VCEsat
- Trench IGBT 3
- Hochleistungsumrichter
- Mittelspannungsantriebe -- Modulare Multi- Level Umrichter MMC für HGÜ
- DC Leistungsschalter