The following content is an automatically extracted verbatim text
from the original manufacturer datasheet and is provided for reference purposes only.
View original datasheet text
КТ8159
p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы • Прототипы – BDV64A-C
Особенности • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C • Комплиментаpная паpа - КТ8158
Обозначение технических условий • АДБК.432150.530 ТУ
Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218)
Назначение выводов
Вывод №1 №2 №3
Назначение
База Коллектор Эмиттер
КТ8159 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8159 при Токр.
KT8159 Datasheet
