Integral KT872B
NPN Transistor
КТ872 n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ872Г с демпфирующим диодом). Предназначены для применения в блоках питания, в схемах строчной развертки телевизионных приемников, узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы
● Прототипы – BU508А, BU508, BU508D Особенности
● Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Обозначение технических условий
● аАО.336.681 ТУ / 02 Корпусное исполнение
● пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) - КТ872А, Б, В, Г
● пластмассовый корпус КТ-43 ISOWATT (ТО-218 ISOWATT) - КТ872А1, Г1 Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ872 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ872 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ872А, Б, Г, А1, Г1 КТ872В Обратный ток коллектора КТ872А, Б, Г, А1, Г1 КТ872В Обратный ток эмиттера КТ872А, Б, В, А1 КТ872Г, Г1 Ст...
● Прототипы – BU508А, BU508, BU508D Особенности
● Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Обозначение технических условий
● аАО.336.681 ТУ / 02 Корпусное исполнение
● пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) - КТ872А, Б, В, Г
● пластмассовый корпус КТ-43 ISOWATT (ТО-218 ISOWATT) - КТ872А1, Г1 Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ872 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ872 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ872А, Б, Г, А1, Г1 КТ872В Обратный ток коллектора КТ872А, Б, Г, А1, Г1 КТ872В Обратный ток эмиттера КТ872А, Б, В, А1 КТ872Г, Г1 Ст...