KT939 Datasheet | Integral

Назначение КТ939 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор в металлическом корпусе. Предназначен для использования в схемах с повышенными требованиями к нелинейным искажениям Обозначение технических условий - аАО.336.413 ТУ Особенности - диапазон рабочих температур от - 60 до + 100 °С Корпусное исполнение - корпус КТ-16-2 (для КТ939А, Б, В) - корпус КТ-16А-2 без винта (для КТ939А1, Б1, В1) Маркировка - КТ939А - синяя точка - КТ939Б - две синие точки - КТ939В - две зеленые точки Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 №4 Назначение Коллектор (К) Эмиттер (Э) База (Б) Эмиттер (Э) КТ939 (январь 2011г., редакция 1.0) Таблица 1. Основные электрические параметры КТ939 при Токр. среды = + 25 °С Паpаметpы Обозначение Ед. изм. Режимы измеpения Min Max Обратный ток коллектора КТ939А, А1, В, В1 КТ939Б, Б1 Статический коэффициент передачи тока КТ939А, А1, В, В1 КТ939Б, Б1 Емкость коллекторного перехода- КТ939А, А1 КТ939Б, Б1 КТ939В, В1 Граничная частота коэффициента передачи тока- КТ939А, А1 КТ939Б, Б1 КТ939В, В1 Обратный ток эмиттера КТ939А, А1, В, В1 КТ939Б, Б1 Граничное напряжение Емкость эмиттерного перехода- Iкбо h21Е Cк- Fгр- Iэбо Uкэогр Сэ- мА Uкб=30B Uкб= 12 B, Iэ= 200 мA 1 2 40 200 20 200 пФ Uкб=12 B f=10МГц 5,5 6 5,7 МГц f=300МГц...