JCS4N80H Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N80H 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg-typ 用途 z 高频开关电源 z 电子镇流器 z LED 电源 4A 800 V 2.5 Ω 14nC APPLICATIONS z High frequency switch mode power supply z Electronic ballasts z LED power supply 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 9pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS.
JCS4N80H Key Features
- continuous
- pulse （note 1）
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制 -Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 μA
- 100 nA
- 100 nA
- 2.0 2.5 Ω
- 1320 1716 pF
- 105 136 pF