JILIN SINO-MICROELECTRONICS JCS5N50VT
N-CHANNEL MOSFET
| Part No. | JCS5N50VT |
|---|---|
| Datasheet | JCS5N50VT Download |
| Manufacturer |  JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Description | N-CHANNEL MOSFET |
| Buy | Stock & Price |
APPLICATIONS
z High efficiency switch mode power supplies z Electronic lamp ballasts based on half bridge z UPS 产品特性 z低栅极电荷 z低 Crss (典型值 16pF) z开关速度快 z产品全部经过雪崩测试 z高抗 dv/dt 能力 zRoHS 产品FEATURES
zLow gate charge zLow Crss (typical 16pF ) zFast switching z100% avalanche tested zImproved dv/dt capability zRoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 Marking JCS5N50VT-O-V-N-B JCS5N50RT-O-R-N-B JCS5N50CT-O-C-N-B JCS5N50FT-O-F-N-B JCS5N50VT JCS5N50RT JCS5N50CT JCS5N50FT 封装 Package IPAK DPAK TO-220C TO-220MF 无卤素 Halogen Free 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 包装 Packaging 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 器件重量 Device Weight 0.35 g(typ) 0.30 g(typ) 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) 版本：200911A 1/12 R JCS5N50VT/RT/CT/FT 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 符号 Symbol JCS5N50VT/RT 数值 Value JCS5N50CT VDSS 500 连续漏极电流 Drain Current -continuous 最大脉冲漏极电流（注 1） ID T=25℃ T=100℃ 5 3.16 Drain Current - pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） IDM VGSS 20 ±30 Single Pulsed...
