JILIN SINO-MICROELECTRONICS JCS9N50VC
N-CHANNEL MOSFET
| Part No. | JCS9N50VC |
|---|---|
| Datasheet | JCS9N50VC Download |
| Manufacturer |  JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
| Description | N-CHANNEL MOSFET |
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APPLICATIONS
● High frequency switching mode power supply● Electronic ballast
● UPS 产品特性
●低栅极电荷
●低 Crss (典型值 26pF)
●开关速度快
●产品全部经过雪崩测试
●高抗 dv/dt 能力
●RoHS 产品
FEATURES
●Low gate charge●Low Crss (typical 26pF )
●Fast switching
●100% avalanche tested
●Improved dv/dt capability
●RoHS product 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 Marking JCS9N50VC-O-V-N-B JCS9N50RC-O-R-N-B JCS9N50CC-O-C-N-B JCS9N50FC-O-F-N-B JCS9N50VC JCS9N50RC JCS9N50CC JCS9N50FC 封装 Package IPAK DPAK TO-220C TO-220MF 无卤素 Halogen Free 否 NO 否 NO 否 NO 否 NO 包 装 Packaging 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 条管 Tube 器件重量 Device Weight 0.35 g(typ) 0.30 g(typ) 2.15 g(typ) 2.20 g(typ) 版本：201204A 1/14 R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) JCS9N50C 项目 Parameter 符号 Symbol JCS9N50VC/RC 数值 Value JCS9N50CC 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage VDSS 500 连续漏极电流 Drain Current -continuous ID T=25℃ T=100℃ 9 5.7 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current - pulse （note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage IDM VGSS 36 ±30 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） A...
