• Part: 3CG9012
  • Description: PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
  • Category: Transistor
  • Manufacturer: JILIN SINO
  • Size: 171.17 KB
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JILIN SINO
3CG9012
FEATURES z Epitaxial silicon z High switching speed z plementary to 3DG9013 z Ro HS product TO-92 订货信息 ORDER MESSAGE 订货型号 Order codes 印记 Marking 3CG9012-O-T-N-C 3CG9012-O-T-N-A 9012 9012 无卤素 Halogen Free 否 NO 否 NO 封装 Package TO-92 TO-92 包装 Packaging 袋装 Bag 编带 Brede 版本:201504A 1/5 R 3CG9012 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 集电极- 基极直流电压 集电极- 发射极直流电压 发射极- 基极直流电压 最大集电极直流电流 Collector- Base Voltage( IE=0) Collector- Emitter Voltage(IB=0) Emitter-Base Voltage(IC=0) Collector Current(DC) 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-92) 最高结温 Junction Temperature 贮存温度 Storage Temperature 符号 Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg 数值 Value -40 -20 -5 -500 625 150 -55~+150 单位 Unit V V V m A m W ℃ ℃ 电特性 El ECTRICAL CHARACTERISTIC 项目 测试条件 最小值 Parameter Tests conditions Value(min) V(BR)CBO V(BR)CEO V(BR)EBO ICBO IEBO IC=-100u A,IE=0 IC=-1m A,IB=0 IE=-100u A,IC=0 VCB=-25V, IE=0 VEB=-3V, IC=0 -40 -20 -5 - h FE VCE(sat) VCE =-1V, IC=-50m A VCE =-1V, IC=-500m A IC=-500m A, IB=-50m...