3CG9012 Overview
PNP 硅外延晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R 3CG9012 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCEO PC -500mA -20V 625mW 用途 APPLICATIONS z 高频开关电源 z High frequency switching power supply z 高频功率变换 z High frequency power transform z 一般功率放大电路 z monly power amplifier circuit 产品特性 z硅外延 z高开关速度 z与 3DG9013 互补 z环保（RoHS）产品.
3CG9012 Key Features
- 40 -20 -5 -500 625 150 -55~+150
- 40 -20 -5
- hFE VCE(sat)
- VBE(sat) fT
- 50 170 270
- 0.4 -0.6 -1.0 -1.2
- 200 ℃/W
- 0.01 -0.01
- 0.1 -1 IC(A)