3FT1N2
Description
主电极 1 MT1
门极
主电极 2 MT2 z 交流开关 z 相位控制
产品特性 z AC switching z Phase control
FEATURES
SOT-223 z 玻璃钝化芯片，高 可靠性和一致性 z 低通态电流和高 浪涌电流能力 z 环保 Ro HS 产品 z Glass-passivated mesa chip for high reliability and uniform z Low on-state voltage and High ITSM z Ro HS products
订货信息 ORDER MESSAGES
订货型号
印记
Order code
Marking
3FT1N2-O-N-B-A
封装 Package SOT-223
包装 Packaging 编带 Tape
版本：201503B
1/7
R 3FT1N2
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (TC=25℃)
项目 Parameter 重复峰值断态电压 Repetitive peak off-state voltage
符号 Symbol
VDRM
试验条件 Condition
数 值 单位 Value Unit
±800 V
通态方均根电流 On-state RMS current
非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Nonrepetitive surge peak on-state current
IT(RMS) ITSM I2t full sine wave full sine wave ,t=20ms full sine wave ,t=16.7ms t=10ms
1.0 A 10 A 11 A 0.5 A2s
通态电流临界上升率 Repetitive rate of rise of on-state current after triggering
峰值门极电流 Peak gate current
平均门极功率 Average gate power
存储温度
Storage temperature
操作结温 Operation junction temperature d I/dt
IGM PG(AV)...
