ATT060U060EQ Overview
N 沟绝缘栅双极晶体管 N-CHANNEL IGBT R ATT060U060EQ 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCES Vcesat-ty（p Vge=15V） 60 A 600V 1.9V 用途 焊接 PFC 车载充电器 APPLICATIONS Welding converters Power Factor Correction OBC 产品特性 低栅极电荷 Trench FS 技术, RoHS.
ATT060U060EQ Key Features
- Low gate charge -Trench FS Technology, -RoHS product
- 连续集电极电流 Collector Current-continuous
- pulse （note 1） 二极管正向测试电流 Diode RMS forward current 二极管正向脉冲电流 Diode pulse current 最高栅极发射极电压 Gate-Emmiter Voltage 最高瞬态栅极发射
- PD TC=25℃
- 连续集电极电流由最高结温限制 -Collector current limited by maximum junction temperature
- 55～+175
- 200 nA
- 200 nA
- Collector-Emmiter saturation Voltage VCESAT VGE=15V , IC=60A,TC=175℃
- 动态特性 Dynamic Characteristics