BM03N05 Description
NPN 低饱和压降晶体管 NPN LOW Vce(sat) TRANSISTOR R BM03N05 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC VCEO PC (SOT-89) 注1 RCE(sat) 3A 50V 550mW 130 mΩ 1．器件安装在印刷电路板上。 用途 静音开关 电池充电器 线性开关电源 APPLICATIONS Switching and muting Battery charger Supply line switching circuits SOT-89 产品特性.
BM03N05 Key Features
- Epitaxial silicon
- 饱和压降低，电流大
- Low VCE(sat) ，high current
- 与 BM03P05 互补
- plementary to BM03P05
- 环保（RoHS）产品
- RoHS product
- 脉冲测试：脉宽≤300μS，占空比≤2.0%