HBR2200 Description
肖特基势垒二极管 R SCHOTTKY BARRIER DIODE HBR2200 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IF(AV) VRRM Tj VF(max) 2A 200 V 175 ℃ 0.72V （@Tj=125℃） 用途 低压、高频整流 低压续流电路和保护电 路 APPLICATIONS Low voltage, high frequency rectifier Free wheeling diodes, polarity protection applications DO-15 SMBF 产品特性 轴向结构 低功耗，高效率 良好的高温特性 有过压保护环，高可靠性 环保（RoHS）产品.
HBR2200 Key Features
- Axial Lead Rectifier -Low power loss, high efficiency -High Operating Junction