JCS120N10I Description
N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET JCS120N10I 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS R(-d@sVogns-=m1a0xV） Qg-typ 120A 100V 6.5mΩ 133nC 用途 高 功 率 DC/DC 转 换 与 功率开关 直流电机控制 汽车应用 不间断电源 APPLICATIONS High power DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive applications Uninterruptible power supply 产品特性.
JCS120N10I Key Features
- Low gate charge
- 低 Rdson(典型值 5.5mΩ ) -Low Rdson(typical 5.5mΩ)
- Fast switching
- 产品全部经过雪崩测试 -100% avalanche tested
- 高抗 dv/dt 能力
- Improved dv/dt capability
- RoHS 产品
- RoHS product
- pulse （note 1） 最高栅源电压
- Drain current limited by maximum junction temperature