JCS16N25V Description
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS16N25C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package ID VDSS Rdson-max （@Vgs=10V） Qg 用途 高频开关电源 电子镇流器 UPS 电源 16 A 250 V 0.30 Ω 9.5 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 低栅极电荷 低 Crss (典型值 16pF) 开关速度快 产品全部经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS.
JCS16N25V Key Features
- Low gate charge -Low Crss (typical 16pF ) -Fast switching -100% avalanche tested -Improved dv/dt capability -RoHS produc
- pulse （note 1） IDM
- 55～+150
- 漏极电流由最高结温限制
- Drain current limited by maximum junction temperature
- 100 nA
- 100 nA
- 0.25 0.30 Ω
- 372 533 pF
- 125 176 pF